物理吸附過程中，在非常低的相對壓力下，首先被覆蓋的是高能量位。具有較高能量的吸附位包括微孔中的吸附位（因為其孔壁提供重疊的位能）和位于平面臺階的水平垂直緣上的吸附位（因有兩個平面的原子對吸附質(zhì)分子發(fā)生作用）。此外，在由多種原子組成的固體表面，吸附位能也會發(fā)生改變，這取決于暴露于表面的原子或官能團的性質(zhì)。

但是，能量較高的位置首先被覆蓋并不意味著隨著相對壓力增高、能量較低的位置不能被覆蓋，而只是說明在能量較高的位置上物理吸附分子的平均停留時間較長。因此，當(dāng)吸附質(zhì)氣體壓力增高時，表面逐漸被覆蓋，氣體分子吸附于空白表面的幾率增加。在表面被*覆蓋之前有可能形成第二吸附層或更多的吸附層。在實際情況下，不可能有正好覆蓋單層的相對壓力存在。BET理論可以在不管單分子層吸附是否形成的條件下，能有效地從實驗數(shù)據(jù)獲得形成單分子層所需的分子數(shù)目。

BET理論是Brunauer、Emmertt和Teller在1938年提出多層吸附模型，它發(fā)展了Langmuir單層吸附理論。他們把Langmuir動力學(xué)理論延伸至多層吸附，所作的假設(shè)除了吸附層不限于單層而可以是多層外，與Langmuir理論所作的假設(shè)*相同。BET理論假設(shè)吸附在最上層的分子與吸附質(zhì)氣體或蒸氣處于動力學(xué)平衡之中。

BET方程如下：

其中V——吸附氣體體積；

Vm——單層吸附氣體容量；

c——常數(shù)，與吸附劑、吸附質(zhì)之間相互作用力有關(guān)；

p/p₀——相對壓力

利用實驗數(shù)據(jù)，以1/[v(p₀/p-1)]對p/p₀作圖，一般在相對壓力0.05≤p/p₀≤0.35間能得到一條很好的直線：

直線的擬合方程表示為：yA+Bx，截距A=1/V_mc，斜率B=(c-1)/V_mc。

從而可得：　　　　　　　         

表面積 S=a_m·n_m·N_A 

其中a_m——氮氣在77K溫度下液態(tài)六方密堆積的氮分子截面積，數(shù)值為16.2×10^-20 m²；

n_m——層吸附容量(mol)，n_m=V_m/22.414；

N_A——Avogadro常數(shù)，數(shù)值為6.022×10²³。

上述方程就是BET多點法計算比表面積的公式。